1. 近日，晶盛机电通过官方微信公众号宣布，经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，8月12日，首颗8英寸（200mm）N型SiC（碳化硅）晶体成功出炉，晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代，这是晶盛在宽禁带半导体领域取得的又一标志性成果。据介绍，此次研发成功的8英寸碳化硅晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。不但成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了碳化硅器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸碳化硅衬底广泛应用打下基础。
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