1. Wolfspeed 近日推出全新工业级 1200V 分立式碳化硅 MOSFET 系列 C4MS。该系列基于公司第四代 SiC 技术平台，提供 16 款型号，采用软恢复二极管设计，大幅降低开关损耗并减少过冲与振铃。相比上一代 C3M，C4MS 在开通能量、反向恢复能量和关断能量方面均有明显优化，125°C 条件下的导通电阻降低约 22%，并具备更强的瞬态过压能力与更宽的栅极电压兼容范围。新品覆盖 TO-247-4、TO-247-4 LP、TO-263-7 XL 及顶部散热 U2 等封装，面向工业电源、逆变器、电机驱动及储能等高功率应用，进一步强化了 Wolfspeed 在宽禁带功率器件领域的产品布局。
2. 11月27日，湖南三安在长沙举行主题为“全‘芯’力量，共赴理想”的碳化硅芯片上车仪式，标志着其车规级碳化硅芯片正式搭载理想汽车车型。公司总经理表示，此次上车是湖南三安从“技术攻关”迈向“市场引领”的关键一步，也验证了其全产业链垂直整合模式在保障产品质量与供应链稳定性上的优势。理想汽车方面认为，湖南三安的新一代碳化硅芯片展现出卓越的性能、可靠性和批量供应能力，将为其高压平台车型开发和电驱系统供应链稳定提供坚实支持。未来，湖南三安表示将继续坚持“车规化、平台化、高效能、全链自主”的发展战略，加大对车规 SiC MOSFET 与 GaN 制造平台的投入，推动8英寸产线产能爬坡和良率提升，巩固其在第三代半导体产业中的竞争优势。
3. 11月27日，中国科学院发布消息称，其所属宁波材料技术与工程研究所的研究团队利用“深钻金属陶瓷复合材料智能设计平台”成功研发出一种新型多元金属陶瓷复合材料。该材料兼具金属韧性与陶瓷硬度，可耐高温、高压、高磨损与腐蚀，非常适合极端复杂环境下使用。此次成果已在我国“深地深地川科1井”项目中得到应用，其井下动力钻具的关键部件采用该复合材料，使钻探设备能够抵御地下超过 200 °C 高温和近 130 MPa 高压等极端条件，助力钻探深度突破 10000 米，首次触及约 5.4 亿年前的震旦系地层。据悉，该研究团队借助类似通用大模型 (AI) 的智能设计平台，自动筛选和优化千余种材料配方，通过机器学习加速材料研发 —— 所得复合材料其力学与耐磨性能相比现役材料提升约 15%–30%。这一突破不仅突破了深地、高温、高压极限条件下的材料壁垒，也为我国深地能源与资源勘探提供了关键支撑，标志着我国在深地工程用材料领域迈出重要一步。
2. 11月27日，湖南三安在长沙举行主题为“全‘芯’力量，共赴理想”的碳化硅芯片上车仪式，标志着其车规级碳化硅芯片正式搭载理想汽车车型。公司总经理表示，此次上车是湖南三安从“技术攻关”迈向“市场引领”的关键一步，也验证了其全产业链垂直整合模式在保障产品质量与供应链稳定性上的优势。理想汽车方面认为，湖南三安的新一代碳化硅芯片展现出卓越的性能、可靠性和批量供应能力，将为其高压平台车型开发和电驱系统供应链稳定提供坚实支持。未来，湖南三安表示将继续坚持“车规化、平台化、高效能、全链自主”的发展战略，加大对车规 SiC MOSFET 与 GaN 制造平台的投入，推动8英寸产线产能爬坡和良率提升，巩固其在第三代半导体产业中的竞争优势。
3. 11月27日，中国科学院发布消息称，其所属宁波材料技术与工程研究所的研究团队利用“深钻金属陶瓷复合材料智能设计平台”成功研发出一种新型多元金属陶瓷复合材料。该材料兼具金属韧性与陶瓷硬度，可耐高温、高压、高磨损与腐蚀，非常适合极端复杂环境下使用。此次成果已在我国“深地深地川科1井”项目中得到应用，其井下动力钻具的关键部件采用该复合材料，使钻探设备能够抵御地下超过 200 °C 高温和近 130 MPa 高压等极端条件，助力钻探深度突破 10000 米，首次触及约 5.4 亿年前的震旦系地层。据悉，该研究团队借助类似通用大模型 (AI) 的智能设计平台，自动筛选和优化千余种材料配方，通过机器学习加速材料研发 —— 所得复合材料其力学与耐磨性能相比现役材料提升约 15%–30%。这一突破不仅突破了深地、高温、高压极限条件下的材料壁垒，也为我国深地能源与资源勘探提供了关键支撑，标志着我国在深地工程用材料领域迈出重要一步。
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