1. 近日,在日内瓦国际发明展上,乌镇实验室纳米颗粒材料气相合成研究团队联合产业化公司桐乡华创三同,凭借“纳米晶高熵陶瓷材料”合成技术,从全球1000余个项目中脱颖而出,荣获评审团特别嘉许金奖。该成果聚焦高熵陶瓷长期存在的规模化制备难题,通过自主研发的气相合成技术,实现纳米级粒径控制与多元素原子级均匀掺混,并首次打通从实验室“克级制备”到工业“吨级量产”的关键路径。该先进陶瓷材料具备优异的耐高温与稳定性能,已在精密光学、固态电池及航空航天等高端领域展现出广阔应用前景。此次突破标志着我国在高熵陶瓷规模化制备与产业化应用方面取得重要进展,有望进一步推动高端制造关键材料的自主可控。
2. 3月26日,旭化成(Asahi Kasei)宣布将停止其子公司 Crystal IS 的UVC LED器件业务,并将资源集中于具有技术优势的氮化铝(AlN)单晶衬底业务。该公司表示,此举是基于对不同细分市场发展潜力的评估结果,未来将重点推进AlN单晶衬底的技术开发与应用拓展,该材料属于先进陶瓷与第三代半导体关键基础材料,已实现100mm级单晶衬底制备,可应用于高频及功率半导体器件领域。此次业务调整反映出全球企业正加速向高附加值先进陶瓷材料与半导体核心材料领域聚焦,进一步强化关键材料的技术竞争力与产业布局。
3. 3月27日,三环集团发布2025年年度报告显示,公司实现营业收入90.07亿元,同比增长22.13%;归母净利润26.18亿元,同比增长19.54%。报告期内,公司持续加大研发投入至6.53亿元,同比增长12.07%,重点布局多层陶瓷电容器(MLCC)、光通信陶瓷器件及泛半导体精密陶瓷结构件等先进电子陶瓷领域。在MLCC方面,公司产品已覆盖0201至2220多规格及车规级应用,并开发高容、高频及多系列创新产品;在光通信领域,MT插芯及陶瓷封装管壳等产品已进入主流客户供应链并实现市场化应用。同时,公司泛半导体陶瓷结构件已实现批量供货,逐步切入半导体设备配套体系。未来,公司将持续推进先进陶瓷材料与器件技术升级,加快全球化布局与产能扩张,强化在高端电子陶瓷领域的综合竞争力。
2. 3月26日,旭化成(Asahi Kasei)宣布将停止其子公司 Crystal IS 的UVC LED器件业务,并将资源集中于具有技术优势的氮化铝(AlN)单晶衬底业务。该公司表示,此举是基于对不同细分市场发展潜力的评估结果,未来将重点推进AlN单晶衬底的技术开发与应用拓展,该材料属于先进陶瓷与第三代半导体关键基础材料,已实现100mm级单晶衬底制备,可应用于高频及功率半导体器件领域。此次业务调整反映出全球企业正加速向高附加值先进陶瓷材料与半导体核心材料领域聚焦,进一步强化关键材料的技术竞争力与产业布局。
3. 3月27日,三环集团发布2025年年度报告显示,公司实现营业收入90.07亿元,同比增长22.13%;归母净利润26.18亿元,同比增长19.54%。报告期内,公司持续加大研发投入至6.53亿元,同比增长12.07%,重点布局多层陶瓷电容器(MLCC)、光通信陶瓷器件及泛半导体精密陶瓷结构件等先进电子陶瓷领域。在MLCC方面,公司产品已覆盖0201至2220多规格及车规级应用,并开发高容、高频及多系列创新产品;在光通信领域,MT插芯及陶瓷封装管壳等产品已进入主流客户供应链并实现市场化应用。同时,公司泛半导体陶瓷结构件已实现批量供货,逐步切入半导体设备配套体系。未来,公司将持续推进先进陶瓷材料与器件技术升级,加快全球化布局与产能扩张,强化在高端电子陶瓷领域的综合竞争力。
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