6月25日，江苏海古德半导体科技有限公司半导体用高性能陶瓷材料项目开工建设。
图源：东台高新区
海古德半导体用高性能陶瓷材料项目占地80亩，建筑面积7.5万平方米，项目建成后，可年产半导体用高性能陶瓷材料氮化铝基板720万片、氮化硅基板300万片、氮化铝/氮化硅结构件50万件。
东台高新区官方消息显示，江苏海古德半导体科技有限公司是一家专注于功率半导体封装基板和半导体制程中关键高性能氮化物精密陶瓷器件的高新技术企业。
据悉，1月30日，东台高新区与无锡海古德新技术有限公司成功签约，高性能氮化铝陶瓷材料项目落户东台高新区。
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