1. 12月9日消息，据国家知识产权局公告，比亚迪股份有限公司申请一项名为“一种氧化钇稳定氧化锆陶瓷材料及其制备方法、电子设备“，公开号CN117185807A，申请日期为2022年5月。专利摘要显示，本申请提供了一种氧化钇稳定氧化锆陶瓷材料及其制备方法、以及含有该陶瓷材料的电子设备，所述陶瓷材料具有基质层、至少一层与基质层相邻的强化层，所述陶瓷材料晶相含有单斜相和四方相，其中，所述基质层中单斜相陶瓷占基质层陶瓷材料的重量百分含量为0.1～8％，所述强化层中单斜相陶瓷占强化层陶瓷材料的重量百分含量为5～40％，所述基质层中单斜相含量是强化层中单斜相含量的2％‑20％，所述强化层厚度为0.5～5μm。所述氧化钇稳定氧化锆陶瓷材料相对于现有技术的氧化钇稳定氧化锆陶瓷材料强度较高，能满足移动智能设备的后盖对于材料的强度要求。
2. 12月8日，吉盛微公司武汉碳化硅制造基地在武汉经开综合保税区正式投产。武汉经开区突破性发展半导体产业迈出坚实一步，填补武汉碳化硅半导体材料生产领域的空白。据悉，吉盛微（武汉）新材料科技有限公司成立于2023年3月，为盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司在武汉投资成立，公司位于武汉经济技术开发区综合保税区工业园内，主要从事半导体及泛半导体设备用CVD SiC原材料及SiC 部件（Ring、Shower Head、Boat、Fin、Tube、plate、Susceptor、Bolt、Pin等）、超高纯高精密陶瓷材料及部件、SiC Epi Wafer、CVD SiC设备的研发及生产制造。该项目规划一期厂房2万平方米，二期规划30亩地，项目总投资约15亿元。目前，吉盛微已经完成了刻蚀、扩散、外延、快速热处理等多个工艺的零部件、耗材开发工作，部分产品填补了国内空白，初步具备稳定的生产供货能力。
2. 12月8日，吉盛微公司武汉碳化硅制造基地在武汉经开综合保税区正式投产。武汉经开区突破性发展半导体产业迈出坚实一步，填补武汉碳化硅半导体材料生产领域的空白。据悉，吉盛微（武汉）新材料科技有限公司成立于2023年3月，为盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司在武汉投资成立，公司位于武汉经济技术开发区综合保税区工业园内，主要从事半导体及泛半导体设备用CVD SiC原材料及SiC 部件（Ring、Shower Head、Boat、Fin、Tube、plate、Susceptor、Bolt、Pin等）、超高纯高精密陶瓷材料及部件、SiC Epi Wafer、CVD SiC设备的研发及生产制造。该项目规划一期厂房2万平方米，二期规划30亩地，项目总投资约15亿元。目前，吉盛微已经完成了刻蚀、扩散、外延、快速热处理等多个工艺的零部件、耗材开发工作，部分产品填补了国内空白，初步具备稳定的生产供货能力。
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