碳化硅陶瓷的烧结方法

    禹贝陶瓷专业生产加工碳化硅陶瓷、特种陶瓷、工业结构陶瓷，耐高温陶瓷、精密陶瓷、碳化硅陶瓷环，SIC碳化硅陶瓷、陶瓷密封环等各种类型陶瓷产品，支持来图来样加工定制。

    碳化硅是一种典型的共价键结合的稳定化合物，加上其扩散系数低，很难用常规的烧结方法来实现致密化，必须通过添加一些烧结助剂来降低表面能或增加外界压力来达到烧结。

a. 反应烧结碳化硅陶瓷

    这种方法是以α-SiC和C为原料，加入适量的粘结剂进行成型和干燥处理，然后放入含有Si的材料中。当坯体在炉内受热超过1400℃时，坯体周围的Si熔融，或以液态，或以气态透入到坯体的毛细管中，同坯体中的C反应生成SiC。产生的SiC逐渐填充坯体中的孔隙，并把原有的α-SiC连结起来，最后达到制品的致密化，并获得强度。

b. 热压烧结碳化硅陶瓷

    热压烧结即在烧结过程中施加一定的压力，压力的存在使原子扩散速率增大，烧结驱动力增加，从而加快烧结过程。然而，在高压条件下，烧结体中会出现垂直于压力方向定向生长的晶粒，为避免这种现象，可以选用热等静压烧结的方法。

c. 无压烧结碳化硅陶瓷

    无压烧结被认为是SiC烧结最有前途的烧结方法，通过无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的SiC部件。根据烧结机理的不同，无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。