第一代半导体：以Si，Ge半导体材料为代表的窄带隙半导体；
第二代半导体：以GaAs，InP半导体材料为代表的二元化合物半导体；
图1 第一代Si半导体材料和第三代半导体材料物性图
图2 生长GaN外延衬底和GaN之间的晶格匹配关系
图3 AlN的缓冲层应用
同时因AlN具有的优良的压电性能、高的表面声波传播速度（c轴方向理论上可达6000 m/s）和较高的机电耦合系数，是GHz级声表面波器件的优选压电材料。而高质量AlN晶圆的成功制备是高功率、高频电子器件和紫外探测器、紫外激光以及深紫外LED等电子器件在国防、航空航天、生物医疗、集成电路、交通通信等尖端科技领域的应用基础。
图4 AlN材料在高频通信的应用
图5 化合积电AlN产品
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